型号:

3LN01M-TL-H

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 30V 150MA MCP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
3LN01M-TL-H PDF
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 150mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.7 欧姆 @ 80mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大) -
闸电荷(Qg) @ Vgs 1.58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 7pF @ 10V
功率 - 最大 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
供应商设备封装 3-MCP
包装 带卷 (TR)
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